(سامسونغ) تطور تقنيات من شأنها إحداث نقلة تاريخية في عالم الإلكترونيات

كشفت شركة (سامسونغ) عن تعاونها مع (IBM)، وذلك من اجل تطوير تقنيات جديدة، من شأنها إحداث نقلة نوعية في عالم الإلكترونيات.

وأشارت الشركة إلى أن التعاون مع (IBM) أثمر عن تطوير تقنية جديدة لصنع شرائح إلكترونية بتقنية 1 نانومتر، وذلك من خلال تثبيت عدد كبير من الترانزستورات بشكل عمودي على الشريحة بدلا من تثبيتها أفقيا لتشغل مساحات أكبر، وفقا لـ (روسيا ايوم).

وأوضحت (سامسونغ) أن تقنية (VTFETs) للنقل العمودي للطاقة سيسمح بتحسن أداء المعالجات بمقدار الضعف تقريبا، كما سيوفر من استهلاك الطاقة بنسبة 85% تقريبا في الأجهزة الإلكترونية مقارنة بتقنية (FinFET) المستخدمة في أحدث المعالجات الحالية.




ويرى الخبراء أن التقنية الجديدة ستساعد في تطوير معالجات فائقة الأداء سيمكن استخدامها مستقبلا في الهواتف والحواسب والأجهزة الذكية وفي العديد من الإلكترونيات المستعملة في مجالات النقل والفضاء ومجالات الاتصالات.

وقالت(سامسونغ) خلال الحدث التقني الذي خصصته لاستعراض تقنياتها الجديدة بأن "النقص العالمي الموجود الآن في مجال أشباه الموصلات الخاصة بالإلكترونيات سلط الضوء على ضرورة الاستثمار والبحث في مجال الشرائح الإلكترونية، وأهمية الشرائح الإلكترونية المتطورة في العديد من المجالات بما فيها مجالات الإلكترونيات الاستهلاكية والإلكترونيات اللازمة لتوفير الخدمات الحيوية".

وتجدر الإشارة إلى أن (IBM) كانت قد أعلنت عن أول شريحة إلكترونية لها مطورة بتقنية 2 نانومتر مطلع العام الجاري، لكن هذه الشريحة كانت تعتمد على تقنيات (FinFET) المستخدمة في المعالجات الحديثة المتوفرة حاليا.